Au Rubrene n Ge SCHOTTKY DİYOT HAZIRLANMASI VE ELEKTRİKSEL ÖZELLİKLERİNİN ARAŞTIRILMASI

Bu araştırma projesinde spin kaplama yöntemiyle n tipi Ge 100 alt tabaka üzerinde 5 6 11 12 tetraphenyl naphthacene rubrene film hazırlanarak Au rubrene n Ge yapısında Schottky diyot üretildi ve aygıt parametreleri 50 K adımlarla 150 300 K sıcaklık aralığında akım gerilim I V karakteristikleri yardımıyla araştırılmıştır İdeallik faktörü n ve engel yüksekliği B nin deneysel değerleri sırasıyla 150 K de 2 79 and 0 345 eV ve 300 K de 1 23 ve 0 553 eV olarak hesaplanmıştır Seri direnç değerleri Rs Cheung fonksiyonları kullanılarak bütün sıcaklıklarda elde edilmiştir Rs değerleri 150 K ve 300 K için sırasıyla 8 18 ve 7 65 olarak bulundu İdeallik faktörleri sıcaklık artışıyla azalırken engel yüksekliklerin arttığı gözlenmiştir Schottky engel yüksekliği ve ideallik faktörünün sıcaklık bağımlılığının gözlenen anomalisi aynı sıcaklık aralıklarında Schottky engel yüksekliğinin Gauss dağılımıyla açıklanmıştır