CANLI
Yükleniyor Veriler getiriliyor…
/ Bildiri / Detay
Bildiri

Investigation of Conversion Efficiency of n-ZnO/p-Si Heterojunction Device Produced By Pulsed Laser Deposition

Özet bildiri
Uluslararası
17.0Etkinlik Yılı
2400,0TEŞV Puanı

Etkinlik Bilgileri

Etkinlik AdıInternational Congress on Semiconductor Materials Devices, ICSMD 2017
Etkinlik Başlangıcı17 Ağustos 2017
Etkinlik Bitişi19 Ağustos 2017

Bildiri Bilgileri

Bildiri TürüÖzet bildiri
KapsamUluslararası
Yayın DurumuYayımlanmış
Yayın Diliİngilizce
YazarlarYİĞİT GEZGİN SERAP,KEPCEOĞLU ABDULLAH,TOPRAK AHMET,KILIÇ HAMDİ ŞÜKÜR
Yazar Sayısı4
Basım TürüElektronik

Alan Bilgisi

Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı->Fizik